深度聚焦！沪硅产业斥资132亿元扩产300mm半导体硅片，助力国产芯片产业升级

沪硅产业斥资132亿元扩产300mm半导体硅片，助力国产芯片产业升级

上海，2024年6月14日 - 据悉，沪硅产业近日宣布，拟投资132亿元人民币，用于建设集成电路用300mm硅片产能升级项目。该项目建成后，将新增30万片/月的300mm硅片产能，预计于2026年投产。

此次扩产，是沪硅产业响应国家集成电路产业发展号召，贯彻落实“十四五”集成电路产业发展规划的重要举措。近年来，随着国内半导体产业的快速发展，对300mm硅片的需求日益旺盛。沪硅产业此次扩产，将有效缓解国内300mm硅片供应紧张的局面，为国产芯片产业的发展提供强有力的支撑。

300mm硅片是制造芯片的核心材料

300mm硅片是制造芯片的核心材料，也被称为“芯片之母”。随着芯片制程工艺的不断进步，对300mm硅片的尺寸、性能、质量等要求也越来越高。

沪硅产业此次扩产的300mm硅片，将采用先进的技术和工艺，产品性能将达到国际领先水平。该项目建成后，将进一步提升沪硅产业的生产能力和技术水平，为国内芯片制造企业提供更加优质的300mm硅片产品。

助力国产芯片产业升级

近年来，国家高度重视集成电路产业发展，出台了一系列政策措施，大力扶持国产芯片产业发展。在国家政策的扶持下，国内芯片产业取得了长足的进步。

沪硅产业此次扩产，是国内芯片产业发展的重要里程碑。该项目建成后，将进一步提升国内300mm硅片的供应能力，为国产芯片产业的升级发展提供强有力的支撑。

关于沪硅产业

沪硅产业（600456.SH）是国内领先的半导体硅片制造企业，主要从事300mm集成电路用硅片的设计、研发、生产和销售。公司拥有先进的生产工艺和技术，产品性能指标达到国际领先水平。公司产品广泛应用于智能手机、计算机、通信、家电等领域。

媒体联系方式

沪硅产业

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

关于TechInsights

TechInsights是一家专注于半导体和集成电路领域的技术研究公司。该公司为客户提供各种市场研究和分析服务，包括市场趋势分析、技术分析和竞争对手分析。

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